特許
J-GLOBAL ID：200903086178664724
エピタキシャル半導体ウェーハの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-305610
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139042
出願日： 1994年11月14日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：
【要約】【目的】 従来のシリコン・エピタキシャル薄膜成長前後でのウェーハ処理工程の簡略化を図り、ウェーハ裏面にエッチングむらの生じない、デバイス工程で高歩留で高品質エピタキシャル薄膜の製造を可能にするエピタキシャル薄膜製造方法の提供。【構成】 シリコン薄膜の気相成長前にウェーハの両面に極薄い熱酸化膜やCVD膜等の特定の成膜処理を施してから反応装置に挿入配置してエピタキシャル成長させることにより、水素雰囲気や塩化水素ガスのエッチング時にウェーハ表面の極薄い酸化膜は容易に除去され、一方、サセプターに載置された裏面側は表目側に比べてエッチング速度が遅いため極薄い酸化膜がマスクとして作用して保護するため、ウェーハ裏面エッチングむらを著しく低減できること、並びにエピタキシャル反応前の工程を前述の従来法に比べて大幅に簡略化できる。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハの表面にシリコン薄膜を気相成長させるエピタキシャル半導体ウェーハの製造方法において、ウェーハの表裏面に、装置内のエピタキシャル反応工程中でのガスエッチングあるいは水素雰囲気下でエッチング除去され得る厚みからなる極薄い熱酸化あるいはドライプレーティングによる酸化膜または窒化膜を形成した後、当該酸化膜を除去することなくエピタキシャル反応装置に挿入配置してエピタキシャル反応工程を施すことを特徴とするエピタキシャル半導体ウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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