特許

J-GLOBAL ID：200903086182623269

半導体装置用可撓性回路基板の製造法

発明者： 三村 真一 ,  管 眞一郎
出願人/特許権者： 日本メクトロン株式会社
代理人 (1件)： 鎌田 秋光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-088776
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270505
出願日： 1997年03月24日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】ICチップ等の半導体装置を回路基板に実装する際にインタ-ポ-ザ-として使用可能であって、製造コストが低く、寸法精度の高い量産性に優れたチップスケ-ルパッケ-ジ又はチップサイズパッケ-ジタイプに採用できる半導体装置用可撓性回路基板の製造法を提供する。【解決手段】レジスト層5と樹脂層4とを一体化した表面絶縁フィルムの樹脂層4側を可撓性回路基板の配線パタ-ン3側に貼り付ける。レジスト層5は所要のパタ-ン形状に加工され、そのレジストパタ-ン6により樹脂層4を加工することにより表面絶縁層を形成する。

請求項（抜粋）：

レジスト層と樹脂層とを一体化した表面絶縁フィルムを用意し、この表面絶縁フィルムの前記樹脂層側を可撓性回路基板の配線パタ-ン側に貼り付け、次いで前記レジスト層を所要のパタ-ン形状に加工し、これにより得られたレジストパタ-ンにより前記樹脂層を加工することにより表面絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置用可撓性回路基板の製造法。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H05K 3/28 ,  H05K 3/40

FI (3件)：

H01L 21/60 311 W ,  H05K 3/28 F ,  H05K 3/40 Z