特許
J-GLOBAL ID:200903086189254609

薄膜型キャパシタとその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 石田 敬 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-272062
公開番号(公開出願番号):特開平7-176453
出願日: 1994年11月07日
公開日(公表日): 1995年07月14日
要約:
【要約】【目的】 薄膜型キャパシタとその製造方法に関し、空間的に効率良く使用でき、更に電気接続用のリード線に基因するキャパシタンスの派生、及び該キャパシタを構成する導電部材間での短絡の可能性を最小限にすることを目的とする。【構成】 誘電性基板12内にグランド側及びパワー側バイア16,17が形成されるとともに、該基板の前面側に底部コンタクト層25が設けられる。また底部コンタクト側パワー端子34が該底部コンタクト層25内に形成され、絶縁プラグ33によって該底部コンタクト層の残存部分から分離される。該底部コンタクト層の上方側には誘電体層38を介して上部コンタクト層45が設けられる。なお、50,60はそれぞれ前面側グランド端子及びパワー端子であり、62,64はそれぞれ背面側グランド端子及びパワー端子である。
請求項(抜粋):
絶縁性基板を通して導電性バイアを形成するステップと、該バイアと電気接続するようにして該基板上に導電性の底部コンタクト層をデポジット形成するステップと、該バイアと電気接続している該底部コンタクト層の部分を電気的に分離するために、該バイアを取り囲む該底部コンタクト層の部分を除去するステップと、該除去された部分を絶縁性材料で充填するステップと、該バイアから離れた該底部コンタクト層の部分と該絶縁性材料の少なくとも一部とに亘って誘電体層を形成するステップとを、そなえていることを特徴とする薄膜型キャパシタの製造方法。
IPC (5件):
H01G 4/33 ,  H01L 23/12 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H05K 3/46
FI (3件):
H01G 4/06 102 ,  H01L 23/12 L ,  H01L 27/04 C
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開昭59-111394
  • 特開平3-258101
  • 積層コンデンサ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-034187   出願人:株式会社村田製作所

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