特許
J-GLOBAL ID：200903086190676878
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-135459
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326792
出願日： 1997年05月26日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：
【要約】【課題】Cjc(コレクタ-ベース間のジャンクション容量)が過度に大きくならないようにグラフトベースの面積を狭めたバイポーラトランジスタを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】コレクタ層12内にベース層が形成され、当該ベース層内にエミッタ層16が形成された半導体装置であって、ベース層が真性ベース層15とグラフトベース層15’とを有し、真性ベース層15の側壁部の少なくとも一部がコレクタ層12と接している構成とする。
請求項（抜粋）：
コレクタ層内にベース層が形成され、当該ベース層内にエミッタ層が形成された半導体装置であって、前記ベース層が真性ベース層とグラフトベース層とを有し、前記真性ベース層の側壁部の少なくとも一部が前記コレクタ層と接している半導体装置。
IPC (2件)：
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