特許

J-GLOBAL ID：200903086195607114

デュアル・ダマスク構造及びその製造方法

発明者： 李 智仁
出願人/特許権者： 聯華電子股▲ふん▼有限公司
代理人 (1件)： 社本 一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-131822
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243829
出願日： 1998年05月14日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】 ポリシリコン又は窒化ケイ素の層をマスクとして用いてデュアル・ダマスク構造を形成し、バイア及びトレンチを形成する工程の間のミスアラインメントを低減させる。【解決手段】 本発明においては、2つの注入工程を用いて2つの停止層306、310を形成する。これら停止層を用いて異方性のエッチング作業を行い、これにより、バイア及びトレンチを形成する。これらバイア及びトレンチの中に導電層314を充填し、その後、停止層310よりも上方にある導電層を除去することにより、デュアル・ダマスク構造を完成させる。本発明は、従来技術に見られるようなエッチング停止機能を調節する際の困難性を有していない。また、本発明は、従来技術で使用される多数のマスクの代わりに、スペーサをトレンチマスクとして使用するという利点を有している。これにより、従来技術において問題となるミスアラインメントを防止することができる。

請求項（抜粋）：

デュアル・ダマスク構造であって、半導体基板と、該半導体基板の上に形成された誘電層と、該誘電層の中に形成されていると共に、第1の開口を有している第1のエッチング停止層と、前記誘電層の上に形成されていると共に、前記第1のエッチング停止層の前記第1の開口に対応する位置に形成された第2の開口を有している第2のエッチング停止層と、前記誘電層、前記第1のエッチング停止層及び前記第2のエッチング停止層の中に形成された相互接続構造とを備えることを特徴とするデュアル・ダマスク構造。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/90 A

Fターム (20件)：

5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004DB06 ,  5F004DB08 ,  5F004EA12 ,  5F004EA23 ,  5F004EA27 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F033AA02 ,  5F033AA17 ,  5F033AA19 ,  5F033AA23 ,  5F033AA29 ,  5F033AA54 ,  5F033BA12 ,  5F033BA17 ,  5F033EA19 ,  5F033EA25 ,  5F033EA27