特許

J-GLOBAL ID：200903086200048161

半導体装置とその製造方法

発明者： 佐和田 明美 ,  宇佐川 利幸
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-306750
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163930
出願日： 1992年11月17日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】ヘテロ接合界面に鋭い鋸(三角)歯構造を作製する。【構成】変調ドープ型ヘテロ接合界面の断面が鋸(三角)歯形状の細線を超高真空中においてGaAs膜をマスクに用いた選択成長で作製する。【効果】従来のSiO2 膜をマスクに用いた選択成長の手法と異なり結晶品質よく、鋭い鋸(三角)歯形状が実現出来、電荷担体(電子等)の経過通路のゆらぎを一次元的に抑えると共にチャネルキャリア密度を著しく向上することで高周波でのノイズを大幅に低減できる。

請求項（抜粋）：

半導体Iと前記半導体Iより電子親和力が小さい半導体IIを有し、前記半導体II内には少なくとも不純物をドープした半導体層を有し、前記半導体I及び前記半導体IIによって構成されるヘテロ接合界面の断面構造が鋸歯構造を形成し、前記鋸歯構造がライン状に周期的に配列していることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/804 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205