特許

J-GLOBAL ID：200903086201883617

半導体装置の構造

発明者： 宇佐見 隆志
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-041181
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140386
出願日： 1993年03月02日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】 O3 TEOS常圧CVDシリコン酸化膜の吸湿性を低くすることによって、高歩留りと高信頼性を有する優れた半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 プラズマCVDシリコン酸化膜とO3 TEOS常圧CVDシリコン酸化膜との積層絶縁膜に於て、下層のプラズマCVDシリコン酸化膜の膜質を、赤外吸収スペクトルの3400cm-1付近のH-OHピークがなく、また大気放置によっても前記ピークの増大がない様に制御することによってO3 TEOS常圧CVD膜の吸湿性を低下させ、かつ段差被覆性を向上させる。

請求項（抜粋）：

半導体装置の構造であって、(a)半導体基板上に形成された絶縁膜と、(b)前記絶縁膜上に形成された第1の配線層と、(c)前記絶縁膜上、及び第1の配線層上に形成された赤外吸収スペクトルの3400cm-1付近のH-OHピークがなく、また大気放置によっても前記ピークの増大がないプラズマCVDシリコン酸化膜と、(d)前記プラズマCVDシリコン酸化膜上に形成されたO3 TEOS常圧CVDシリコン酸化膜と、を具備することを特徴とする半導体装置の構造。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-167429
  
• 特開平4-218947