特許

J-GLOBAL ID：200903086206454781

半導体ダイオードレーザ増幅器及びその製造方法

発明者： ティメイエル ルーカル フレデリック
出願人/特許権者： フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-518517
公開番号（公開出願番号）：特表平9-509535
出願日： 1995年11月13日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】本発明は、2つのクラッド層間に位置する活性層(4)を有し、活性層内にストライプ状活性領域が存在し、該活性領域を活性領域に実際上垂直な2つの端面により長さ方向において限界するとともにこれらの端面に反射防止層を設けてなる半導体ダイオードレーザ増幅器に関するものである。このようなレーザ増幅器は、特にレーザ内に、例えば増幅すべき放射のTE及びTM部分のような異なる波長の放射が存在するときに、高い増幅リプルを有する。本発明レーザ増幅器では、第1の端面(7)に、第1の波長、例えば増幅すべき放射のTE偏光部分に対し反射が最小になる波長において最小の反射を有する第1の反射防止層(71)を設け、第2の端面(8)に、第1の波長と異なる第2の波長、例えば増幅すべき放射のTM偏光部分に対し反射が最小になる波長において最小の反射を有する第2の反射防止層(81)を設ける。この結果として、両波長に対する反射の積が最小になり、両端面に中間周波数に対し最適にされた同一の反射防止層が設けられた既知のレーザより少なくとも低くなる。本発明レーザ(100)は特に低い増幅リプルを有する。これは、このリプルは前記反射の積の平方根に比例するからである。好ましくはシリコン酸化窒化膜からなる単一層のみを具える反射防止層(71、81)により良好な結果が得られる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の基板(1)及び該基板上に位置する半導体層構造を具えた半導体本体(100)を有し、該半導体層構造は少なくとも第1導電型の第1クラッド層(1A)と、活性層(4)と、第1導電型と反対の第2導電型の第2クラッド層(3,6)とを有し、第2クラッド層(3,6)及び基板(1)がそれぞれの接続導体(16,17)に電気的に接続され、且つ十分な電流強度が順方向に与えられると、ストライプ状活性領域内でコヒーレント電磁放射を増幅しうるpn接合(26)を具え、該活性領域が該活性領域にほぼ垂直な2つの端面(7,8)により長さ方向において限界されるとともに2つの端面の各々に反射防止層(71、81)が設けられた半導体ダイオードレーザ増幅器において、第1の端面(7)に、第1の波長において最小の反射を有する第1の反射防止層(71)を設け、第2の端面(8)に、第1の波長と異なる第2の波長において最小の反射を有する第2の反射防止層(81)を設けたことを特徴とする半導体ダイオードレーザ増幅器(100)。