特許

J-GLOBAL ID：200903086208482456

半導体装置の製造方法

発明者： 本郷 禎人 ,  杉山 亨 ,  栗山 保彦 ,  野津 哲郎 ,  津田 邦男 ,  森塚 宏平
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-065347
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260749
出願日： 1998年03月16日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：

【要約】【課題】半導体層のドーパント拡散やウェハの表面形態の悪化等の影響を及ぼすことなく半導体層に混入した水素を除去する。【解決手段】半絶縁性GaAs基板11上に、i型GaAsバッファ層12,n+ 型GaAsコレクタコンタクト層13,n型GaAsコレクタ層14,p+ 型GaAsベース層15,n型AIx Ga1-x Asエミッタ層17を積層した後、反応炉内に窒素又は希ガスを供給し、キセノンランプを基板表面に照射しながら、基板温度を300〜450°Cの温度範囲に保つ。

請求項（抜粋）：

基体上に第1導電型半導体層と第2導電型半導体層とが順次積層された試料に対して、前記第2導電型半導体層上に前記第1導電型半導体層のバンドギャップよりも高いエネルギーを持つ光を照射しつつ前記試料を加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/26 ,  H01L 29/205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (3件)：

H01L 21/26 F ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/72