CMOS演算増幅器

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-313100
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129844
出願日： 1991年11月01日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】温度変化に対して、消費電流のほとんど一定なCMOS演算増幅器を提供する。【構成】バイアス電圧を印加してCMOS演算増幅器の消費電流を決定する2つのPチャネル型MOSトランジスタに対して、少なくとも一方のPチャネル型MOSトランジスタと直列に正の温度係数を持つ抵抗51を接続する。【効果】正の温度係数を持つ抵抗が、消費電流を決定するPチャネル型MOSトランジスタの温度特性を補償し、CMOS演算増幅器の消費電流を温度に対して一定にする。したがって、CMOS演算増幅器を含む半導体集積回路全体の消費電流も温度に依存しなくなり、高温度において電池寿命が短くなるという欠点は解消される。

請求項（抜粋）：

差動増幅回路と、該差動増幅回路の出力の直流レベルをシフトして出力するレベルシフト回路と、前記差動増幅回路の出力および前記レベルシフト回路の出力を増幅して出力する出力回路とからなるCMOS演算増幅器において、バイアス電圧を印加し消費電流を決定する2つのPチャネル型MOSトランジスタに対して、少なくとも一方のPチャネル型MOSトランジスタと直列に正の温度係数を持つ抵抗を接続したことを特徴とするCMOS演算増幅器。

IPC (4件)：

H03F 1/30 , H03F 3/18 , H03F 3/30 , H03F 3/345

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