特許

J-GLOBAL ID：200903086224110232

シリコン酸化膜の形成方法

発明者： 斉藤 政良 ,  本間 喜夫 ,  工藤 豊
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立電子エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-039671
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236518
出願日： 1995年02月28日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】含有OH基が少なく、水分透過阻止特性に優れると同時に高段差被覆性のシリコン酸化膜を形成する。【構成】アルコキシシランと酸素を含む酸化性ガスの混合ガスを導入し、プラズマCVD法でSi-H結合を有するシリコン酸化膜を形成する。【効果】高密度で信頼性の高い多層配線を有する半導体装置の低コスト製造が可能となる。

請求項（抜粋）：

Si-H結合を有するアルコキシドをシリコン源として酸素源と混合しプラズマCVD法によりSi-H結合を含有するシリコン酸化膜を形成することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/768 ,  H05H 1/46

FI (7件)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/90 P ,  H01L 21/90 L