特許

J-GLOBAL ID：200903086225848316

半導体装置の製造方法及び製造装置

発明者： 中野 正 ,  太田 与洋 ,  神力 博 ,  佐藤 伸良
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-068857
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283520
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】 絶縁膜として埋め込み性が良好であるとともにボイドを有しない、しかも膜中の含水率の小さい優れた膜質のものを形成する。【構成】 半導体層の絶縁膜を形成するに当たり、まず下地52の表面を有機化合物で処理した後、有機けい素化合物を原料として用いる化学気相成長により絶縁膜53を形成する。この絶縁膜53を形成後は、プラズマ処理、UV-O3 又はアニール処理からなる後処理を施す。このように下地を有機化合物で処理し、絶縁膜を形成したのちに後処理を施すことにより、絶縁膜中の含水率が効果的に低減できる。

請求項（抜粋）：

半導体装置の絶縁膜を形成するに当たり、絶縁膜を形成しようとする下地表面を有機化合物で処理し、しかる後に有機けい素化合物を原料として用いる化学気相成長により前記絶縁膜を形成し、次いでこの絶縁膜中の含水量を減少させる後処理を施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-061335
  
• 特開平4-180226
  
• 特開平3-041731
  
• 特開平3-214627