特許
J-GLOBAL ID：200903086226118540
プラズマエツチング方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石戸 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-207432
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029275
出願日： 1991年07月23日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 ウェーハ面内のエッチングレートの均一性を向上させる。【構成】 一方の電極面に環状部9を設けてウェーハ4周辺部の電極間隔10を狭く、ウェーハ4部分の電極間隔11を広くする。
請求項（抜粋）：
エッチングチャンバ(1)内に設けたウェーハ載置電極(3)とこれに対向する対向電極(2)にそれぞれ個別に交流電力を供給し、エッチングガスを供給してウェーハ(4)をプラズマエッチングする方法において、前記一方の電極面に環状部(9)を設けてウェーハ(4)周辺部の電極間隔(10)を狭く、ウェーハ(4)部分の電極間隔(11)を広くするようにしたことを特徴とするプラズマエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, C23F 1/08
, C23F 4/00
