特許

J-GLOBAL ID：200903086229924858

3-5族化合物半導体の製造方法

発明者： 家近 泰 ,  小野 善伸 ,  高田 朋幸
出願人/特許権者： 住友化学工業株式会社
代理人 (1件)： 久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-059100
公開番号（公開出願番号）：特開平9-251957
出願日： 1996年03月15日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】【課題】高効率発光素子に用いることができる結晶品質の優れた3-5族化合物半導体を工業的に製造できる製造方法を提供する。【解決手段】一般式Inx Gay Alz N(ただし、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)で表わされる3-5族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する方法において、窒素原料として少なくともアンモニアとヒドラジンを用い、供給ガス中のヒドラジンの濃度が1×10-3体積%以上であり、かつアンモニアの供給量とヒドラジンの供給量との和に対するヒドラジンの供給量の割合が1×10-3体積%以上20体積%以下である3-5族化合物半導体の製造方法。

請求項（抜粋）：

一般式Inx Gay Alz N(ただし、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)で表わされる3-5族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する方法において、窒素原料として少なくともアンモニアとヒドラジンを用い、供給ガス中のヒドラジンの濃度が1×10-3体積%以上であり、かつアンモニアの供給量とヒドラジンの供給量との和に対するヒドラジンの供給量の割合が1×10-3体積%以上20体積%以下であることを特徴とする3-5族化合物半導体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/40 502 D ,  H01L 33/00 C