特許

J-GLOBAL ID：200903086231996670

窒化ケイ素粉末の製造方法

発明者： 福岡 宏文 ,  紺谷 義治
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-034382
公開番号（公開出願番号）：特開平10-218612
出願日： 1997年02月03日
公開日（公表日）： 1998年08月18日
要約：

【要約】【課題】 ガス導入管と排ガス排気管とを備えた窒化ケイ素製造用窒化炉を用いて直接窒化法により窒化ケイ素粉末を製造する際、排気管内への一酸化ケイ素の析出・付着による排気管の閉塞を防止でき、連続窒化ケイ素製造用窒化炉を用いても長時間にわたって定常安定で継続的に運転して、窒化ケイ素粉末を効率よく、工業的に有利に製造する。【解決手段】 ガス導入管と排ガス排気管とを備えた窒化ケイ素製造用窒化炉を用いて金属ケイ素を窒素ガス又はアンモニアガスを含む非酸化性ガスで1,150〜1,500°Cの温度域で直接窒化し、窒化ケイ素粉末を製造する方法において、前記排気管中の1,000〜1,200°Cの温度域における窒化反応後の排ガス線速を3〜50m/sの範囲にする。上記窒化ケイ素粉末の製造方法において、窒化ケイ素製造用窒化炉として連続窒化ケイ素製造用窒化炉を用い、排出管の1,000〜1,200°Cの温度域における窒化生成物/窒化反応後の排ガス比を0.03〜0.3kg/m3とする。

請求項（抜粋）：

窒素ガス又はアンモニアガスを含む非酸化性ガスを導入するガス導入管と、排ガスを排出する排ガス排気管とを備えた窒化ケイ素製造用窒化炉を用いて、金属ケイ素を前記非酸化性ガスにより1,150〜1,500°Cの温度域で直接窒化し、窒化ケイ素粉末を製造する方法において、前記排気管中の1,000〜1,200°Cの温度域における排ガスの線速を3〜50m/sの範囲にすることを特徴とする窒化ケイ素粉末の製造方法。

IPC (2件)：

C01B 21/068 ,  C04B 35/626

FI (2件)：

C01B 21/068 D ,  C04B 35/58 102 Q