特許

J-GLOBAL ID：200903086235655893

半導体装置及びその製造方法

発明者： 本庄 敦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-103527
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294642
出願日： 1999年04月12日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】 感光性樹脂からなる配線間絶縁膜を有する半導体装置の構造と製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体基板1上に形成された絶縁層4と、前記絶縁層4の内部に形成され、拡散バリヤ膜2で覆われた下層配線3と、前記絶縁層4上に形成された感光性樹脂から成る配線間絶縁膜12と、前記配線間絶縁膜12の内部に形成され、拡散バリヤ膜6に覆われ、配線溝と、この配線溝より幅の狭く前記下層配線3と接続している配線穴とを有する上層配線7とを具備することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層内に形成された下層配線と、前記絶縁層上に形成され、配線溝およびこの配線溝より幅が狭く前記下層配線に接続する配線穴とを有する配線間絶縁膜と、前記配線溝及び前記配線穴に形成された上層配線と、を具備し、前記配線間絶縁膜は感光性樹脂のみからなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/312

FI (2件)：

H01L 21/90 S ,  H01L 21/312 D

Fターム (62件)：

5F033HH04 ,  5F033HH05 ,  5F033HH06 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ05 ,  5F033JJ06 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033KK05 ,  5F033KK06 ,  5F033KK07 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033KK14 ,  5F033KK19 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP21 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ89 ,  5F033RR27 ,  5F033SS22 ,  5F033XX13 ,  5F033XX33 ,  5F058AA10 ,  5F058AC07 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG09 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02