特許
J-GLOBAL ID：200903086239898570
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-327929
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163336
出願日： 1997年11月28日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】高耐圧の半導体装置においては、寄生のバイポーラトランジスタが動作し、半導体装置の特性が低下する。【解決手段】低濃度のP--型電界緩和層3内に中濃度のP- 型拡散層8を形成する。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板と、該基板上にゲート酸化膜を介し形成されたゲート電極と、該ゲート電極の両側の前記基板上に形成された第2導電型のソース拡散層とドレイン拡散層と、前記ドレイン拡散層の底面部に前記ゲート酸化膜下に達する電界緩和用の第2導電型低濃度拡散層とからなる半導体素子を有する半導体装置において、前記電界緩和用の第2導電型低濃度拡散層内に電界緩和用の第2導電型中濃度拡散層を形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/762
, H01L 21/336
H01L 29/78 301 W
, H01L 21/76 D
, H01L 29/78 301 P
