特許
J-GLOBAL ID：200903086242148140
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-249371
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090418
出願日： 1991年09月27日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】 本発明は被コンタクト部からの反射の影響を低減させた精度の高いコンタクト孔の形成が可能となる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体基板上に配線パターンと接続されるコンタクト部として素子分離領域1、ゲート電極3及び第1の配線パターン6が形成されている。これらの上には、層間絶縁膜7が形成されていて、この上には反射防止膜8が形成されている。この反射防止膜8上にホトレジストパターン9を形成し、次に、素子分離領域1、ゲート電極3及び第1の配線パターン6に対して同時にコンタクト孔10a′,10b′,10c′を形成するために露光するようにした。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の第1の被コンタクト部を覆うように第1の層間絶縁膜を形成する工程と、前記第1の層間絶縁膜上に前記第1の被コンタクト部とは異なる光反射率を有する第2の被コンタクト部を形成する工程と、前記第2の被コンタクト部と前記第1の層間絶縁膜上に第2の層間絶縁膜を形成する工程と、前記第2の層間絶縁膜上に反射防止膜を形成する工程と、前記反射防止膜上にホトレジスト膜を形成する工程と、前記第1の被コンタクト部と前記第2の被コンタクト部に対して同時にコンタクト孔を形成するために露光する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/90
, H01L 21/28
, H01L 21/027
