特許

J-GLOBAL ID：200903086244961948

電子デバイス製造装置

発明者： 伊藤 康彦 ,  酒井 道
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-170771
公開番号（公開出願番号）：特開平11-016843
出願日： 1997年06月26日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】 VHF帯或いはUHF帯の励起周波数により生成したプラズマを反応空間に大面積にわたって利用でき、高スループット化を図ることができる電子デバイス製造装置を提供する。【解決手段】 ガス導入配管1の途中に、蛇腹管よりなり、長さが可変になった絶縁管14を設け、その長さを調節することにより、ガス導入配管1におけるインピーダンスの大きさ|Z2|が反応室5内のインピーダンスの大きさ|Z1|よりも大きくなるように調整する。即ち、インピーダンス調整手段である絶縁管14の長さを調整し、そのことにより絶縁管14のコンダクタンスC1を変化させてインピーダンス調整容量C1としている。

請求項（抜粋）：

カソード電極とアノード電極とが対向配置された反応室にガス導入配管が接続され、該ガス導入配管より該カソード電極の電極面を通して、薄膜半導体等を堆積させるための原料ガスや希釈ガス或いは半導体素子等を加工するためのエッチングガス等の反応ガスを該反応室に導入し、該カソード電極に直列接続された高周波電力発生手段より、該反応ガスをプラズマ分解するための励起周波数がRF帯より高いVHF帯或いはUHF帯となるように、該カソード電極に高周波を印加する電子デバイス製造装置において、該ガス導入配管に、該ガス導入配管のインピーダンスが該反応室のインピダーンスよりも大きくなるように該ガス導入配管のインピーダンスを調整するためのインピーダンス調整手段が設けられている電子デバイス製造装置。

IPC (6件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (6件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/302 B