半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-177894
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021055
出願日： 1992年07月06日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】下層配線と上層配線の接続孔部の抵抗増大が生じることがなく、パーティクルの発生も少ない半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】半導体基板101上に第1のAl合金102、第1のTiN103を形成し、パターニングを行い第1の配線層とする。層間絶縁膜104を形成し、接続孔105を第1のTiN103を残した状態で形成した後、第2のTiN106を形成する。次に、第2のAl合金107を形成し、第2のTiN106、第2のAl合金107をパターニングし第2の配線層とすることにより、抵抗の増大が生じない接続孔を形成する。【効果】下層配線と上層配線の接続孔部に下層配線上部のTiN膜を残すことにより、接続孔部にTiNを残した場合のようなパーティクルの発生や、オープン不良の発生が生じることがない。信頼性が向上し、高い歩留りが得られる。

請求項（抜粋）：

下層配線層と上層配線層との接続部の配線構造が、上層配線がTiNとAlまたはAl合金との積層膜であり、下層配線の上部にはTiNが存在することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/28 301 , H01L 21/90

FI (2件)：

H01L 21/88 M , H01L 21/88 R

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