半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-129072
公開番号（公開出願番号）：特開2004-335708
出願日： 2003年05月07日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：

【課題】キャパシタの特性や信頼性を向上させることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板100と、半導体基板の上方に設けられ、下部電極116,117,118,119と、上部電極121,122と、下部電極と上部電極との間に設けられた誘電体膜120とを含むキャパシタとを備え、下部電極は、貴金属膜及び貴金属酸化物膜の中から選択された導電膜117と、誘電体膜と導電膜との間に設けられ、ABO3 で表され、且つBサイト元素として第1の金属元素を含むペロブスカイト型金属酸化物膜119と、導電膜と金属酸化物膜との間に設けられ、且つペロブスカイト型金属酸化物のBサイト元素である第2の金属元素を含む金属膜118と、を備え、第2の金属元素が酸化物を生成するときのギブスの自由エネルギーの減少量の方が、第1の金属元素が酸化物を生成するときのギブスの自由エネルギーの減少量より大きく、金属酸化物膜の厚さは5nm以下である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の上方に設けられ、下部電極と、上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に設けられた誘電体膜とを含むキャパシタと、を備え、前記下部電極は、貴金属膜及び貴金属酸化物膜の中から選択された導電膜と、前記誘電体膜と前記導電膜との間に設けられ、ABO3 で表され、且つBサイト元素として第1の金属元素を含むペロブスカイト型金属酸化物膜と、前記導電膜と前記金属酸化物膜との間に設けられ、且つペロブスカイト型金属酸化物のBサイト元素である第2の金属元素を含む金属膜と、を備え、前記第2の金属元素が酸化物を生成するときのギブスの自由エネルギーの減少量の方が、前記第1の金属元素が酸化物を生成するときのギブスの自由エネルギーの減少量より大きく、前記金属酸化物膜の厚さは5nm以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L27/105 , H01L21/316

FI (2件)：

H01L27/10 444B , H01L21/316 M

Fターム (27件)：

5F058BA06 , 5F058BA11 , 5F058BD01 , 5F058BD05 , 5F058BF12 , 5F058BH03 , 5F083FR02 , 5F083GA21 , 5F083JA13 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA35 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA19 , 5F083MA20 , 5F083NA01 , 5F083PR15 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR23 , 5F083PR34 , 5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-128043 出願人：株式会社東芝, インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト

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