III族窒化物結晶の成長方法およびGaN結晶

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-185805
公開番号（公開出願番号）：特開2007-254879
出願日： 2006年07月05日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：

【課題】Gaの収率を向上することができるIII族窒化物結晶の成長方法およびその方法により得られるGaN結晶を提供する。【解決手段】基板6を設置するためのサセプタ7の一主面2と、サセプタ7の一主面2と間隔をあけて対向している対向面3と、サセプタ7の一主面2と対抗面3との間の空間を仕切る側面4と、で取り囲まれた成長室1にアンモニアガスを導入するとともにIII族塩化物ガスの噴出口8からIII族塩化物ガスを導入することによってサセプタ7の一主面2上に設置された基板6上にIII族窒化物結晶を成長させる際に、サセプタ7の一主面2の面積をScm2とし、サセプタ7の一主面2とIII族塩化物ガスの噴出口8との距離をLcmとし、成長室1に導入されるガスの標準状態での総量をVcm3/sとしたとき、S/L/Vの値を0.1s/cm2以上としてIII族窒化物結晶を成長させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板を設置するためのサセプタの一主面と、前記サセプタの一主面と間隔をあけて対向している対向面と、前記サセプタの一主面と前記対向面との間の空間を仕切る側面と、で取り囲まれた成長室にアンモニアガスを導入するとともにIII族塩化物ガスの噴出口からIII族塩化物ガスを導入することによって前記サセプタの一主面上に設置された基板上にIII族窒化物結晶を成長させる際に、前記サセプタの一主面の面積をScm2とし、前記サセプタの一主面と前記III族塩化物ガスの噴出口との距離をLcmとし、前記成長室に導入されるガスの標準状態での総量をVcm3/sとしたとき、S/L/Vの値を0.1s/cm2以上とすることを特徴とする、III族窒化物結晶の成長方法。

IPC (4件)：

C23C 16/34 , C30B 29/38 , C30B 25/14 , H01L 21/205

FI (4件)：

C23C16/34 , C30B29/38 D , C30B25/14 , H01L21/205

Fターム (50件)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB04 , 4G077DB05 , 4G077DB11 , 4G077EA01 , 4G077EA02 , 4G077ED04 , 4G077EG22 , 4G077EH01 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA11 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TB02 , 4G077TB04 , 4G077TC06 , 4G077TC10 , 4G077TG01 , 4G077TH06 , 4G077TJ02 , 4G077TJ03 , 4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030BA38 , 4K030CA05 , 4K030FA10 , 4K030GA07 , 4K030JA10 , 4K030JA12 , 4K030LA14 , 5F045AB14 , 5F045AC03 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045BB08 , 5F045CA10 , 5F045CA11 , 5F045CA12 , 5F045DP03 , 5F045EG06 , 5F045GB19

引用特許：

出願人引用 (1件)

特許第3553583号公報

審査官引用 (2件)

特開平1-246365
特許第3553583号

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