特許

J-GLOBAL ID：200903086250577351

配線層の形成方法

発明者： 江澤 弘和 ,  宮田 雅弘
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-243739
公開番号（公開出願番号）：特開平8-111474
出願日： 1994年10月07日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：

【要約】【目的】 配線基板の信頼性を向上させることができると共に製造コストの低減がなし得る配線層の形成方法を提供する。【構成】 半導体基板11上のレジスト膜13にリソグラフィにより所望の配線パターンに対応するレジスト開口部14をマスクを用いて形成した後、この開口部を含む全面にTi/Pd積層膜15を成膜し、この上に形成したレジスト膜24に再びリソグラフィにより同じマスクを用いてレジスト開口部25を形成し、この開口部にめっき法によりCu層26を形成し、さらにCu層26を含む全面にNi膜27を形成した後にレジスト膜13,24を除去すると同時にCu層26を被覆する部分以外の部位にあるTi/Pd積層膜15とNi膜27を除去して配線層28を形成するもので、配線層28のCu層26が外表面に露出せず、直接接触により生じる問題の発生が層間絶縁膜との界面で生じなくなる。

請求項（抜粋）：

基板上の第1のレジスト膜にリソグラフィにより所定のマスクを用いて所望の配線パターンに対応する第1の開口部を形成する工程と、前記第1の開口部及び前記第1のレジスト膜面に第1金属微粒子膜を形成する工程と、前記第1の金属微粒子膜面に第2のレジスト膜を形成し該第2のレジスト膜にリソグラフィにより前記マスクを用いて第2の開口部を形成する工程と、前記第2の開口部にめっき法により金属層を形成する工程と、前記金属層及び前記第2のレジスト膜面に第2の金属微粒子膜を形成する工程と、前記第1のレジスト膜及び前記第2のレジスト膜を除去すると同時に前記金属層を被覆する部分以外の部位にある前記第1の金属微粒子膜及び前記第2の金属微粒子膜を除去する工程とを有すること特徴とする配線層の形成方法。

IPC (6件)：

H01L 23/12 ,  C23F 1/00 102 ,  H05K 3/02 ,  H05K 3/18 ,  H05K 3/24 ,  H01L 23/522

FI (2件)：

H01L 23/12 N ,  H01L 23/52 B