特許

J-GLOBAL ID：200903086267164956

ダイヤモンド状被膜形成方法

発明者： 堂本 洋一 ,  蔵本 慶一 ,  平野 均 ,  木山 精一
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-207912
公開番号（公開出願番号）：特開平7-062539
出願日： 1993年08月23日
公開日（公表日）： 1995年03月07日
要約：

【要約】【目的】 基板表面に高硬度を有するダイヤモンド状被膜を形成する。【構成】 プラズマ発生室4にArガスを供給すると共に、マイクロ波を導入して電子サイクロトロン共鳴によるArプラズマを発生させ、該Arプラズマを真空チャンバ8内に配置された基板13に放射すると同時に、該基板13に所定の高周波電圧を印加し、前記Arプラズマ流中にCH4ガスを供給して、前記基板13上にダイヤモンド状被膜を形成するダイヤモンド状被膜形成方法であって、前記基板13に発生する自己バイアスが-20V以下となるように前記高周波電圧を印加する。

請求項（抜粋）：

プラズマ発生室にArガスを供給すると共に、マイクロ波を導入して電子サイクロトロン共鳴によるArプラズマを発生させ、該Arプラズマを真空チャンバ内に配置された基板に放射すると同時に、該基板に所定の高周波電圧を印加し、前記Arプラズマ流中にCH4ガスを供給して、前記基板上にダイヤモンド状被膜を形成するダイヤモンド状被膜形成方法であって、前記基板に発生する自己バイアスが-20V以下となるように前記高周波電圧を印加することを特徴とするダイヤモンド状被膜形成方法。

IPC (6件)：

C23C 16/26 ,  C01B 31/02 101 ,  C23C 16/50 ,  C30B 29/04 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-329879
  
• 特開昭63-262468
  
• 特開平2-025031