低温ポリシリコン薄膜トランジスタのレーザアニーリング方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-107360
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293687
出願日： 1996年04月26日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：

【要約】【課題】エキシマレーザビームにより同時に異なる移動度の多結晶Siにアニールすることができるレーザアニール方法を提供する。【解決手段】膜トランジスタを形成する基板上のアモルファスシリコン膜をレーザ照射によりポリシリコン化して低温ポリシリコン薄膜トランジスタを製造するにあたり、エキシマレーザ発振器から放射されたレーザビームを、フーリエ変換型位相ホログラムを用い、遠視野で複数の点を所望の位置で所望の位相で結像させ、任意の形状で、かつそのビーム強度分布を被ポリシリコン化部の所望の移動度変化に相応するように整形する整形ステップと、前記レーザビームを所定の整形パターンで基板上に結像形成し、該レーザビームを前記基板に対し相対的に移動させ、前記被ポリシリコン化部の全域を照射する照射ステップとを含むことを特徴とするレーザアニーリング方法をにある。

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタを形成する基板上のアモルファスシリコン膜をレーザ照射によりポリシリコン化して低温ポリシリコン薄膜トランジスタを製造するにあたり、エキシマレーザ発振器から放射されたレーザビームを、フーリエ変換型位相ホログラムを用い、遠視野で複数の点を所望の位置で所望の位相で結像させ、任意の形状で、かつそのビーム強度分布を被ポリシリコン化部の所望の移動度変化に相応するように整形する整形ステップと、前記レーザビームを所定の整形パターンで基板上に結像形成し、該レーザビームを前記基板に対し相対的に移動させ、前記被ポリシリコン化部の全域を照射する照射ステップとを含むことを特徴とするレーザアニーリング方法。

IPC (5件)：

H01L 21/268 , H01L 21/20 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 21/268 B , H01L 21/268 Z , H01L 21/20 , H01L 27/12 R , H01L 29/78 612 B , H01L 29/78 627 G

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開昭62-081710
特開平4-102311
液晶ディスプレイ基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-330073 出願人：東京エレクトロン株式会社

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審査官引用 (2件)

特開昭62-081710
特開平4-102311

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