特許
J-GLOBAL ID:200903086272096829

バイアホール検査装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 平戸 哲夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-332255
公開番号(公開出願番号):特開平11-166903
出願日: 1997年12月03日
公開日(公表日): 1999年06月22日
要約:
【要約】【課題】ビルトアップ多層配線基板を製造する場合に、絶縁層に形成されるバイアホールの検査に使用するバイアホール検査装置に関し、メッキ処理前のバイアホールの底部の導電層の露出状態を精度高く検査できるようにする。【解決手段】メッキ処理前のバイアホールを有するビルトアップ多層配線基板36を照明し、上方から被検査バイアホールのアナログ画像を取得し、これを二値化画像に変換し、被検査バイアホールの二値化画像とテンプレートとを重ね合わせて被検査バイアホールがバイアホールであるか否かを判定し、バイアホールと判定した被検査バイアホールの二値化画像に含まれるリングを構成する黒画素数の多少により銅層の露出部分が十分な正常なバイアホールであるか否かを判定する。
請求項(抜粋):
導電層上の絶縁層に形成されたバイアホールの底部の前記導電層の露出状態を検査するバイアホール検査装置であって、被検査バイアホール内の前記絶縁層の残渣の画像を取得することができる画像取得手段と、前記画像取得手段により取得された前記被検査バイアホール内の前記絶縁層の残渣の画像を使用して前記被検査バイアホールの底部の前記導電層の露出状態を判断し、前記被検査バイアホールの良否を判定する良否判定手段とを備えていることを特徴とするバイアホール検査装置。
IPC (4件):
G01N 21/88 ,  G01B 11/30 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/46
FI (4件):
G01N 21/88 F ,  G01B 11/30 C ,  H05K 3/00 S ,  H05K 3/46 W

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