特許
J-GLOBAL ID:200903086278462967

半導体製造装置用静電チャックおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 木下 茂
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-366152
公開番号(公開出願番号):特開2003-168726
出願日: 2001年11月30日
公開日(公表日): 2003年06月13日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 耐熱性、耐食性、耐プラズマ性等に優れた半導体製造装置用静電チャックおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 アルミナ材からなる天板1および底板3との間に、金属電極層2を挟み込み、前記天板と底板とを接合させて、半導体製造装置用静電チャックを製造する方法において、前記天板と底板との接合は、イットリウム酸化物系化合物を接合材4として用いて、水素雰囲気中にて、1700°C以上1850°C以下で熱処理することにより行うことを特徴とする製造方法により得られた半導体製造装置用静電チャックを用いる。
請求項(抜粋):
金属電極層と、前記電極層を挟み込むアルミナセラミックス製の天板および底板とからなり、前記天板および底板は、イットリウム酸化物系化合物からなる接合材を介して接合されていることを特徴とする半導体製造装置用静電チャック。
IPC (3件):
H01L 21/68 ,  C04B 37/00 ,  H02N 13/00
FI (3件):
H01L 21/68 R ,  C04B 37/00 A ,  H02N 13/00 D
Fターム (19件):
4G026BA03 ,  4G026BB03 ,  4G026BB21 ,  4G026BF04 ,  4G026BG02 ,  4G026BG21 ,  4G026BG28 ,  4G026BH06 ,  5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA17 ,  5F031HA18 ,  5F031MA28 ,  5F031MA29 ,  5F031MA32 ,  5F031NA01 ,  5F031NA05 ,  5F031PA30
引用特許:
審査官引用 (1件)

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