特許
J-GLOBAL ID：200903086281157237
フリンジフィールド駆動液晶表示装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
瀬谷 徹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-199278
公開番号（公開出願番号）：特開2001-056476
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：
【要約】【目的】 カウンタ電極と画素電極との間の距離を低減しながら、開口率を確保できるフリンジフィールド駆動液晶表示装置を提供すること。【構成】 下部基板上にゲートバスラインを形成する段階;下部基板上に第1、第2ゲート絶縁膜、非晶質シリコン層及びドープト半導体層を順次積層する段階;ドープト半導体層、非晶質シリコン層及び第2ゲート絶縁膜を所定部分パターニングして、オーミックコンタクト層及びチャンネル層を含む活性領域を限定する段階;活性領域の一側の第1ゲート絶縁膜上に透明導電体でカウンタ電極を形成する段階;カウンタ電極の形成された第1ゲート絶縁膜上に金属膜を積着し、金属膜を所定部分パターニングしてデータバスライン、ソース、ドレイン電極及び共通信号線を形成する段階;下部基板の結果物上に保護膜を蒸着する段階;ドレイン電極が露出するように保護膜をエッチングする段階;及び露出したドレイン電極とコンタクトされるように、保護膜上に透明導電体でカウンタ電極とフリンジフィールドを形成する画素電極を形成する段階を含む。
請求項（抜粋）：
所定距離をおいて対向する上部及び下部基板;前記上部及び下部基板間に介在される多数の液晶分子を含む液晶層;下部基板の内側面に所定方向に延長されたゲートバスライン;前記ゲートバスラインと交差するように下部基板上に配置されて単位画素を限定するデータバスライン;前記ゲートバスライン及びデータバスライン間に介在されるゲート絶縁膜;前記ゲートバスラインとデータバスラインの交差部に各々配置された薄膜トランジスタ;前記下部基板の単位画素空間に各々配置されるカウンタ電極;前記カウンタ電極とコンタクトされてカウンタ電極に共通信号を印加する共通信号線;前記薄膜トランジスタと電気的に連結して、前記カウンタ電極とオーバーラップされるように形成され、前記カウンタ電極と共にフリンジフィールドを形成する画素電極;及び、前記カウンタ電極と画素電極との間に介在される保護膜を含み、前記共通信号線は前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記データバスラインと同一の物質で形成されることを特徴とする、フリンジフィールド駆動液晶表示装置。
IPC (3件)：
G02F 1/1343
, G02F 1/1368
, G09F 9/30 338
G02F 1/1343
, G09F 9/30 338
, G02F 1/136 500
