特許

J-GLOBAL ID：200903086288090790

光学薄膜の緻密化処理方法、光学薄膜及び半導体露光装置

発明者： 瀧 優介
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 藤本 芳洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-151338
公開番号（公開出願番号）：特開2004-354640
出願日： 2003年05月28日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【課題】光学素子上へ堆積させた光学薄膜の構造を緻密化させる光学薄膜の緻密化処理方法を提供する。【解決手段】酸化物光学薄膜72が積層された酸化物光学素子70を反応炉2に格納する格納工程と、前記反応炉2内に酸素ガスを導入して、前記酸化物光学薄膜を加熱して緻密化する緻密化処理工程と、前記反応炉2に格納された前記酸化物光学素子70の冷却を行う冷却工程と、前記反応炉2から前記酸化物光学素子70を取り出す取出工程とを含む光学薄膜の緻密化処理方法において、前記緻密化処理工程における前記反応炉2内の温度は150〜500°C、酸素濃度は1000ppm〜100%である。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

酸化物光学薄膜が積層された酸化物光学素子を反応炉に格納する格納工程と、 前記反応炉内に酸素濃度が1000ppm〜100%である酸素ガスを導入し温度を150〜500°Cとして、前記酸化物光学薄膜を加熱して緻密化する緻密化処理工程と、 前記反応炉に格納された前記酸化物光学素子の冷却を行う冷却工程と、 前記反応炉から前記酸化物光学素子を取り出す取出工程と を含むことを特徴とする光学薄膜の緻密化処理方法。

IPC (5件)：

G02B1/11 ,  C23C14/58 ,  G02B5/28 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

FI (7件)：

G02B1/10 A ,  C23C14/58 A ,  G02B5/28 ,  G03F7/20 502 ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 503G ,  H01L21/30 515D

Fターム (20件)：

2H048GA04 ,  2H048GA27 ,  2H048GA60 ,  2H048GA61 ,  2H097BA02 ,  2H097CA13 ,  2H097LA10 ,  2K009AA03 ,  2K009CC06 ,  2K009DD03 ,  2K009DD04 ,  2K009DD05 ,  2K009DD15 ,  4K029BC07 ,  4K029EA05 ,  4K029EA08 ,  4K029GA01 ,  5F046BA03 ,  5F046CB02 ,  5F046CB12