特許
J-GLOBAL ID：200903086288266589
積層磁性体の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
穂上 照忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-121727
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315134
出願日： 1992年05月14日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】相安定性の高い交換相互作用膜を有する積層磁性体の製造。【構成】Ni-Fe系合金の磁性材料に、Mnを35〜40原子%を含有するPd-Mn系合金膜をイオンビームスパッタリング法により積層し、その後に磁場中で熱処理をすることを特徴とする積層磁性体の製造方法。上記の製造方法においては、Ni-Fe系合金の磁性材料にアシストイオンビームを照射することが望ましい。
請求項（抜粋）：
Ni-Fe系合金の磁性材料に、Mnを35〜40原子%を含有するPd-Mn系合金膜をイオンビームスパッタリング法により積層し、その後に磁場中で熱処理をすることを特徴とする積層磁性体の製造方法。
IPC (5件)：
H01F 10/14
, C23C 14/16
, C23C 14/46
, C23C 14/58
, H01F 41/18
