特許

J-GLOBAL ID：200903086288482230

半導体装置及びその製造方法

発明者： 日比 紀孝
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-215173
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044275
出願日： 1999年07月29日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】 少なくとも2層の配線層を有する半導体装置であって、上層配線層と半導体基板との接続を確実に行なうことの可能な構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板101上において、第1の特定の領域121に設けられた活性領域124表面位置高さと、第2の特定の領域122に設けられた活性領域126表面位置高さとが互いに異なる。このことにより、上層配線137と半導体基板101との接続孔133深さが浅くなり、接続孔133と、上層配線136と下層配線134との接続孔132との同時開口が容易となり、接続孔132や133における配線間の接続状態が良好なものとなる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の第1の特定の領域に形成された第1の活性領域と、前記第1の特定の領域に形成された第1の溝状素子分離領域と、前記半導体基板の第2の特定の領域に形成された第2の活性領域と、前記第2の特定の領域に形成された第2の溝状素子分離領域と、前記第3の特定の領域の形成された段差領域と、第1の層間絶縁膜と、下層配線と、第2の層間絶縁膜と、上層配線と、前記上層配線と前記下層配線との接続孔と、前記上層配線と前記半導体基板との接続孔とを備えた半導体装置であって、前記第1の複数の活性領域表面位置高さと、前記第2の複数の活性領域表面位置高さとが、互いに異なっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/76 N ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/90 A

Fターム (25件)：

4M104AA01 ,  4M104DD05 ,  4M104DD06 ,  4M104DD23 ,  4M104EE12 ,  4M104HH20 ,  5F032AA34 ,  5F032AA44 ,  5F032BA01 ,  5F032BA05 ,  5F032DA02 ,  5F032DA24 ,  5F032DA33 ,  5F032DA53 ,  5F032DA78 ,  5F033KK01 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ39 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033XX04