特許
J-GLOBAL ID：200903086290693184
金属超薄膜を利用した圧電素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-297194
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088418
出願日： 1994年11月30日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、圧電効果(piezo-electric effect)を利用したトランジスターに関するもので、特に金属超薄膜から構成された圧電素子を提供することを目的とする。【構成】 本発明の圧電素子は、所定電圧により所定の力学的な力を発生させることができる圧電膜14と、上記圧電膜14の力学的な力により電気抵抗が変化されて電子の流れを制御することができるように上記圧電膜14下部に形成された金属超薄膜12から構成された電子通路と、上記圧電膜14上部に形成されて圧電膜14に圧電効果を起こすことができるように所定電圧を印加するための電極16から構成されている。【効果】 上記電極と超薄膜金属の間に電気場を印加する時、圧電効果による力学的な力が圧電膜下部の電子通路の抵抗を変化させることにより、通常のトランジスターと同一な効果を発揮することができる。
請求項（抜粋）：
圧電効果を利用する圧電素子において、所定電圧により所定の力学的な力を発生させることができる圧電膜、上記圧電膜の力学的な力により電気抵抗が変化されて電子の流れを制御することができるように、上記圧電膜下部に形成された金属超薄膜から構成された電子通路、及び上記圧電膜上部に形成されて圧電膜に圧電効果を起こすことができるように所定電圧を印加するための電極から構成されたことを特徴とする金属超薄膜を利用した圧電素子。
引用特許：
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