特許

J-GLOBAL ID：200903086293308486

基板装置及びその製造方法、電気光学装置並びに電子機器

発明者： 林 朋彦
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-322795
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133558
出願日： 2001年10月19日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：

【要約】【課題】 TFTが形成された基板装置において、良好なトランジスタ特性を長期に亘って維持し、更に湿度、温度等の使用環境の影響を受け難くする。しかもPチャネル型TFTを構築した場合に、耐湿性や耐熱性を向上させることによるTFTの機能低下を抑制可能とする。【解決手段】 基板上に、ソース領域、チャネル領域及びドレイン領域を含む半導体層を形成し、この上にゲート絶縁膜を形成する。ゲート絶縁膜は、酸化膜を含んでなり、ゲート絶縁膜と半導体層との界面から離れた位置における酸化膜中に窒素原子を含む。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上に形成されておりソース領域、チャネル領域及びドレイン領域を含む半導体層と、少なくとも前記チャネル領域における前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極膜とを備えており、前記ゲート絶縁膜は、酸化膜を含んでなり前記ゲート絶縁膜と前記半導体層との界面から離れた位置における前記酸化膜中に窒素原子を含むことを特徴とする基板装置。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/336

FI (7件)：

G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/318 C ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/78 617 U

Fターム (68件)：

2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA11 ,  2H092MA26 ,  2H092MA27 ,  2H092NA11 ,  5C094AA22 ,  5C094AA25 ,  5C094AA31 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094CA19 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094EA04 ,  5C094FA02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5F058BA07 ,  5F058BB04 ,  5F058BB07 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD15 ,  5F058BF62 ,  5F058BF63 ,  5F058BF64 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ10 ,  5F110AA14 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD11 ,  5F110EE09 ,  5F110EE28 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF06 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF25 ,  5F110FF26 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL03 ,  5F110HL07 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN46 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ11