半導体光素子及び発光ダイオード

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松本孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-321346
公開番号（公開出願番号）：特開平9-167855
出願日： 1992年02月26日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：

【要約】【課題】pn界面を高温度で成長させても拡散が起りにくいドーパントを用いることによって、輝度低下、輝度ばらつき、サイリスタ現象を有効に防止する。【解決手段】ダブルヘテロ構造のAlGaAs系赤色発光ダイオードを構成するp型エピタキシャル層のp型ドーパントにMgを用いる。液相エピタキシャル成長によるp型AlGaAs活性層からn型AlGaAsウィンドウ層へのpn界面成長時の切換え温度を840°C以上、950°C以下とする。発光輝度特性は、pn切換え温度が840°Cより低い時にはZnドープとMgドープで発光輝度にほとんど差はないが、840°Cを超えるとMgドープの方が発光輝度が大きくなる。温度が高くなると面内での発光輝度のばらつきは大きくなるが、Mgの場合、Znドープほどその影響は大きくならない。

請求項（抜粋）：

半導体光素子を構成するp型層のp型ドーパントにMgを用いたことを特徴とする半導体光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 21/208

FI (2件)：

H01L 33/00 A , H01L 21/208 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭63-299382
特開昭59-044880
特開昭59-188186

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