特許
J-GLOBAL ID:200903086307831713

半導体記憶装置とそのアクセス方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐藤 隆久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-313486
公開番号(公開出願番号):特開2006-127623
出願日: 2004年10月28日
公開日(公表日): 2006年05月18日
要約:
【課題】高速かつ連続的にデータを読み出し、または書き込むことが可能な半導体記憶装置およびそのアクセス方法を提供する。【解決手段】メモリアレイ11からのデータ読み出しが完了すると内部で自動的に、第2のアドレスレジスタ13から第1のアドレスレジスタ12へのアドレス転送、並びに第1のデータレジスタ14から第2のデータレジスタ15へのデータ転送を実行し、第1のアドレスレジスタ12のアドレスを参照してメモリアレイ11からの次のデータ読み出しを開始し、データ書き込みが完了すると第2のアドレスレジスタ13から第1のアドレスレジスタ12へのアドレス転送、並びに第2のデータレジスタ15から第1のデータレジスタ14へのデータ転送を実行し、第1のアドレスレジスタ12のアドレスを参照してメモリアレイ11への次のデータ書き込みを開始するステージ移行回路23と、を有する。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
メモリセルが配列されたメモリアレイと、 上記メモリセルへアクセスするためのアドレスを保持する第1のアドレスレジスタおよび第2のアドレスレジスタと、 上記メモリアレイから読み出されたデータを保持する第1のデータレジスタおよび第2のデータレジスタと、 上記第1のアドレスレジスタに保持されたアドレスを参照して、上記メモリアレイの所望の領域から上記第1のデータレジスタにデータを読み出す手段と、 外部から上記第2のアドレスレジスタへアドレスを入力する手段と、 上記第2のデータレジスタから外部へデータを出力する手段と、 上記メモリアレイからのデータ読み出しが完了すると内部で自動的に、上記第2のアドレスレジスタから上記第1のアドレスレジスタへのアドレス転送、並びに上記第1のデータレジスタから上記第2のデータレジスタへのデータ転送を実行し、上記第1のアドレスレジスタに転送されたアドレスを参照して上記メモリアレイからの次のデータ読み出しを開始する処理手段と を有する半導体記憶装置。
IPC (1件):
G11C 16/02
FI (1件):
G11C17/00 613
Fターム (8件):
5B125BA01 ,  5B125CA01 ,  5B125DA04 ,  5B125DB03 ,  5B125DE04 ,  5B125EA05 ,  5B125EF10 ,  5B125EK07

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