特許

J-GLOBAL ID：200903086311330737

薄膜キャパシタおよび集積回路

発明者： 山道 新太郎 ,  佐久間 敏幸 ,  宮坂 洋一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-147020
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314768
出願日： 1992年06月08日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：

【要約】【目的】 下部電極の側面からの酸化を抑えるとともに隣合う2つのキャパシタ間のカップリング容量を低減する。【構成】 基板401上に下部電極402、高誘電率の誘電体403、上部電極404が順次積層された薄膜キャパシタであって、所望の形状に加工した下部電極の表面が露出するように下部電極周辺が層間絶縁膜405により覆われていて、該層間絶縁膜がシリコン窒化膜からなることを特徴とする薄膜キャパシタおよびこの構造のキャパシタが1つの基板上に複数個設けられた薄膜キャパシタ集積回路。

請求項（抜粋）：

基板上に下部電極、高誘電率の誘電体、上部電極が順次積層された薄膜キャパシタであって、所望の形状に加工した下部電極の表面が露出するように下部電極外周側面が層間絶縁膜により覆われており、該層間絶縁膜がシリコン窒化膜からなることを特徴とする薄膜キャパシタ。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/108

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-014453
  
• 特開平4-098871
  
• 特開平3-076262