低誘電率多層基板

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-004556
公開番号（公開出願番号）：特開平7-212047
出願日： 1994年01月20日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】従来の多層基板の形成方法は、高誘電率で、低強度であったので、これらの点を改良し、実用に耐えうる強度の低誘電率の多層基板を提供することにある。【構成】下面に下部導体膜を形成し、上面に上部導体膜を形成し、内部に前記下部導体膜と上部導体膜とを接続するバイアホールを形成した絶縁性基板を複数枚積層した多層基板において、前記絶縁性基板の内部を2層とし、一方の層を低誘電率の多孔性基板とし、他方の層を完全焼結型で高誘電率の基板とし、前記導体膜を前記完全焼結型で高誘電率の基板上に形成すると共に、この基板によって、前記低誘電率の多孔性基をブロックする。

請求項（抜粋）：

下面に下部導体膜が形成され、上面に上部導体膜が形成され、内部にバイアホールが形成された絶縁性基板を積層してなる多層基板において、前記絶縁性基板の一方の層を低誘電率の多孔性基板によって形成し、他方の層を高誘電率の完全焼結型基板によって形成したことを特徴とする低誘電率多層基板。

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