フォトマスクの製造方法およびフォトマスク

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-060644
公開番号（公開出願番号）：特開2004-226995
出願日： 2004年03月04日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：

【課題】マスクにおけるマスクパターンの変更または修正の時間を短縮する。【解決手段】フォトマスクPM5を構成するマスク基板1上に、集積回路パターン転写用のメタルからなる遮光パターン2aの他に、レジスト膜からなるハーフトーンパターン3cを設けた。ハーフトーンパターン3cは、露光光の位相を反転させる位相調整用のパターンである。また、ハーフトーンパターン3cを透過する光の透過率は、ハーフトーンパターン3cを透過する前の露光光の約2〜10%程度であり、ハーフトーンパターン3cは実質的に遮光部として機能する。【選択図】図31

請求項（抜粋）：

以下の工程を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法: (a)マスク基板上に集積回路パターン転写用のメタルからなる遮光パターンを形成する工程、 (b)前記マスク基板上に第1のレジスト膜を堆積する工程、 (c)前記第1のレジスト膜上に第2のレジスト膜を堆積する工程、 (d)前記第2のレジスト膜をパターン加工することにより遮光パターンを形成する工程、 (e)前記第2のレジスト膜からなる遮光パターンをエッチングマスクとして、第1のレジスト膜をパターン加工する工程。

IPC (9件)：

G03F1/08 , G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/3205 , H01L21/8238 , H01L21/8246 , H01L27/092 , H01L27/10 , H01L27/112

FI (8件)：

G03F1/08 A , G03F1/08 D , G03F7/20 521 , H01L27/10 461 , H01L21/30 502P , H01L27/10 433 , H01L27/08 321A , H01L21/88 B

Fターム (56件)：

2H095BB02 , 2H095BB03 , 2H095BB06 , 2H095BC01 , 5F033GG04 , 5F033HH04 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH25 , 5F033HH28 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033JJ09 , 5F033KK01 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM07 , 5F033PP06 , 5F033QQ01 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033QQ58 , 5F033QQ65 , 5F033RR04 , 5F033RR09 , 5F033SS11 , 5F033SS22 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033VV16 , 5F033XX15 , 5F048AA01 , 5F048AC03 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB12 , 5F048BE03 , 5F048BF03 , 5F048BG12 , 5F048BG14 , 5F083CR02 , 5F083JA35 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083PR01 , 5F083ZA12 , 5F083ZA13 , 5F083ZA14

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開平4-136854号公報
レチクルおよびレチクル製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-092517 出願人：松下電器産業株式会社
特開昭55-22864号公報

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