特許
J-GLOBAL ID：200903086330393324
位相シフトマスクを用いたパターンの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-181300
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012543
出願日： 1996年06月20日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：
【要約】【課題】 メモリデバイスのように密集したパターンにおいて、フォーカスが多少ずれても微細ホールパターンの形成を可能とする位相シフトマスクを用いたホールパターンの形成方法を提供する。【解決手段】 フォトレジストの所定領域に第1の露光を行なった後、第2の露光を行ない、その後現像が行なわれる。この第1および第2の露光を行なう際には、各々位相シフトマスクが用いられる。この位相シフトマスクは、互いに180°異なる位相を透過する2つの透過部の間に遮光膜3を有している。
請求項（抜粋）：
ウェハに塗布されたフォトレジストの所定領域に第1の位相シフトマスクを用いた第1の露光を行なった後、第2の位相シフトマスクを用いた第2の露光を行なうパターンの形成方法であって、前記第1の位相シフトマスクは、第1の方向に向かって互いに並走し、かつ互いに異なった位相で露光光を透過する第1および第2の光透過部を有する基板と、並走する前記第1および第2の光透過部の間に位置する遮光膜とを有し、前記第2の位相シフトマスクは、第2の方向に向かって互いに並走し、かつ互いに異なった位相で露光光を透過する第3および第4の光透過部を有する基板と、並走する前記第3および第4の光透過部の間に位置する遮光膜とを有し、前記第1の露光時の前記第1の位相シフトマスクの前記第1の方向と前記第2の露光時の前記第2の位相シフトマスクの前記第2の方向とが交差するように前記第1および第2の露光が行なわれる、位相シフトマスクを用いたパターンの形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, G03F 1/08
, G03F 7/039
, G03F 7/20 521
H01L 21/30 502 C
, G03F 1/08 A
, G03F 7/039
, G03F 7/20 521
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
