特許
J-GLOBAL ID：200903086330797808
中性粒子ビームエッチング装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-184824
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029251
出願日： 1992年07月13日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：
【要約】【目的】半導体の製造工程のエッチング工程において、高速中性粒子を利用したエッチング装置に関するものであり、イオンビームの中性化率を高め、チャージアップによるウエーハ表面の電気的損傷を低減させることを目的とする。【構成】負イオン源12から加速電極13より引出された負イオン14に光源15から出力される光子16を衝突させることにより中性化率を高め、この中性化された高速中性粒子17をウエーハ21の表面に衝突させる構成としている。
請求項（抜粋）：
負イオンビームを発光させる手段と、光子を放射する手段と、前記負イオンビームに光子を照射して高速中性粒子をつくる手段と、前記高速中性粒子をウエーハ表面に衝突させる手段を有する中性粒子ビームエッチング装置。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, C23F 4/00
, H01L 21/263
