特許

J-GLOBAL ID：200903086334408024

薄膜形成方法、薄膜形成装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器

発明者： 四谷 真一
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-368619
公開番号（公開出願番号）：特開2005-206939
出願日： 2004年12月21日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：

【課題】 マスク蒸着等の各種パターニング成膜を高精度かつ正確に行うことが可能となる薄膜形成方法、及び薄膜形成装置を提供し、更に当該薄膜形成方法を用いた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス装置と、当該有機エレクトロルミネッセンス装置を備えた電子機器を提供する。【解決手段】 基板Gと材料源1の間にマスクMを配置して、前記材料源1の材料を基板Gに薄膜として形成する薄膜形成方法であって、マスクMと基板Gを密着させる基板密着工程と、マスクMと基板Gの隙間を測定する隙間測定工程と、当該隙間測定工程の測定結果に応じて前記薄膜を形成する薄膜形成工程と、を有することを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板と材料源の間にマスクを配置して、前記材料源の材料を前記基板に薄膜として形成する薄膜形成方法であって、 前記マスクと前記基板を密着させる基板密着工程と、 前記マスクと前記基板の隙間を測定する隙間測定工程と、 当該隙間測定工程の測定結果に応じて前記薄膜を形成する薄膜形成工程と、 を有することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (4件)：

C23C14/24 ,  C23C14/12 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

FI (5件)：

C23C14/24 G ,  C23C14/24 U ,  C23C14/12 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A

Fターム (11件)：

3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007FA01 ,  4K029BA62 ,  4K029BB03 ,  4K029BC00 ,  4K029BD00 ,  4K029CA01 ,  4K029HA01 ,  4K029HA03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• マスク蒸着方法及び蒸着装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-259028   出願人：日本電気株式会社