レジストパターン形成方法および金属パターン形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-025131
公開番号（公開出願番号）：特開平8-220770
出願日： 1995年02月14日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】基材上に形成する金属膜の端部にノイズ発生などのデバイス特性低下の要因となる鈎状突起がなく、表面が極めて平滑な金属膜を得るためのレジストパターン形成方法および金属パターン形成方法を提供する。【構成】基材上に予め前処理としてポリアミド酸塗膜を形成し、その上にブタジエン系のフォトレジストを塗布形成する。次いで、フォトマスクを介してレジスト上に活性光線を照射したのち、現像処理および下層のポリアミド酸塗膜のエッチングを行い、レジストパターンを形成する。さらにポリアミド酸塗膜のエッチングによって露出した基材表面にスパッタリングによって金属膜を形成し、薬液によって基材上に残存するレジストおよびポリアミド酸塗膜を剥離除去して金属パターンを形成する。

請求項（抜粋）：

下記(a)〜(d)工程を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。(a)基材上にポリアミド酸溶液を塗布、乾燥してポリアミド酸塗膜を形成する工程、(b)形成した塗膜上にフォトレジストを塗布する工程、(c)フォトマスクを介してフォトレジストに活性光線を照射後、現像して所望のレジストパターンを形成する工程、(d)アルカリ性薬液によって露出したポリアミド酸塗膜のみをエッチングする工程。

IPC (3件)：

G03F 7/26 511 , G03F 7/40 521 , H05K 3/02

FI (3件)：

G03F 7/26 511 , G03F 7/40 521 , H05K 3/02 A

前のページに戻る