特許

J-GLOBAL ID：200903086337719209

透明導電膜およびその製造方法並びにその用途

発明者： 中澤 弘実 ,  内海 健太郎 ,  長崎 裕一 ,  黒澤 聡
出願人/特許権者： ジオマテック株式会社 ,  東ソー株式会社
代理人 (1件)： 岸田 正行 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-237398
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050231
出願日： 2000年08月04日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】 膜表面が平坦で抵抗率の低い結晶質の酸化インジウム系透明導電膜を提供する。【解決手段】 実質的にIn、Ge及びOからなり、抵抗率が250μΩ・cm以下、かつZ-max/tが10%以下(但し、Z-max:表面凹凸の最大高低差、t:膜厚)の透明導電膜であり、Ge/(In+Ge)は原子比で4.0〜9.0%が好ましく、このような導電膜は、焼結密度90%以上のIn-Ge-Oスパッタリングターゲットを用い、dcにrfを重畳させた電力を印加してスパッタリングすることにより得ることができる。

請求項（抜粋）：

実質的にインジウム、ゲルマニウムおよび酸素からなり、抵抗率が250μΩ・cm以下、かつZ-max/tが10%以下(但し、Z-max:表面凹凸の最大高低差、t:膜厚)であることを特徴とする透明導電膜。

IPC (5件)：

H01B 5/14 ,  C04B 35/495 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  H01B 13/00 503

FI (5件)：

H01B 5/14 A ,  C23C 14/08 D ,  C23C 14/34 A ,  H01B 13/00 503 B ,  C04B 35/00 J

Fターム (20件)：

4G030AA34 ,  4G030AA38 ,  4G030BA16 ,  4G030CA01 ,  4G030CA08 ,  4K029AA09 ,  4K029BA50 ,  4K029BB07 ,  4K029BC05 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  5G307FA01 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FC10 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05