横型気相エピタキシャル成長方法及びその装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松本孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-195694
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031064
出願日： 1998年07月10日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】横型気相エピタキシャル成長法において、エピタキシャル成長膜のキャリア濃度の均一化を図ると共に、キャリア濃度分布を自由にコントロールすることを可能にする。【解決手段】反応容器2内で縦軸線を中心に回転するサセプタ3に、該縦軸線のまわりに複数の開口5を設け、各開口内に結晶成長用基板4を下向きに収納して下面を露出させた状態に支持すると共に、この基板4の上に重ねて前記各開口内に均熱板7を収納配置し、このサセプタ3を上方のメインヒータ21及び側方の外周ヒータ22により加熱し、横方向から反応容器2内に原料ガス及びドーパントガスを流し、熱分解反応により基板表面に薄膜を成長させるエピタキシャル成長装置において、均熱板の厚さを、該均熱板と前記基板との厚さの和が、サセプタの厚さよりも薄くなるように設定し、外周ヒータの寄与度を大きくする。

請求項（抜粋）：

反応容器内で縦軸線を中心に回転するサセプタに、該縦軸線のまわりに複数の開口を設け、各開口内に結晶成長用基板を下向きに収納して下面を露出させた状態に支持すると共に、この結晶成長用基板の上に重ねて前記各開口内に均熱板を収納配置し、このサセプタを上方のメインヒータ及び側方の外周ヒータにより加熱し、横方向から反応容器内にIII 族原料ガス、V族原料ガス及びドーパントガスのジシラン又はシランを流し、熱分解反応により結晶成長用基板表面に薄膜を成長させるエピタキシャル成長方法において、前記均熱板は、該均熱板と前記結晶成長用基板との厚さの和が、サセプタの厚さよりも薄くなるように設定され、これにより前記外周ヒータによりエピタキシャル層のキャリア濃度がサセプタの中心から周縁方向であるほど高くなっていく傾向を抑制して均一化し、そのキャリア濃度分布が均一な状態下で、前記外周ヒータの温度を変化させることによりキャリア濃度をコントロールし、n型III -V族化合物半導体結晶を成長することを特徴とする横型気相エピタキシャル成長方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , C30B 29/40 502

FI (2件)：

H01L 21/205 , C30B 29/40 502 A

Fターム (27件)：

4G077AA03 , 4G077AB02 , 4G077BE41 , 4G077BE46 , 4G077DB08 , 4G077EB01 , 4G077ED06 , 4G077EG25 , 4G077EH05 , 4G077EH07 , 4G077HA12 , 5F045AA04 , 5F045AB10 , 5F045AB17 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AF04 , 5F045BB08 , 5F045DA62 , 5F045DP15 , 5F045DP27 , 5F045DQ06 , 5F045EB02 , 5F045EB03 , 5F045EK22 , 5F045EK30 , 5F045EM02

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