特許
J-GLOBAL ID：200903086341440448
記録ヘツド用基体および記録ヘツドの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-115223
公開番号（公開出願番号）：特開平5-096732
出願日： 1991年04月20日
公開日（公表日）： 1993年04月20日
要約：
【要約】【目的】 寿命が長く信頼性の高い記録ヘッド用基体および記録ヘッドを歩留り良く提供する。【構成】 フォトリソグラフィにより、発熱部110と、発熱部110を駆動するNPNトランジスタ120と、NPNトランジスタ120と発熱部110とを接続する配線電極104とをP型シリコン基板1上に形成する記録ヘッド用の基体100の製造方法において、配線電極104のマスク用フォトレジストエッチング後退させながら配線電極104をエッチングし、かつ基体温度を低温から高温に変えながら配線電極104上に保護膜105を堆積する。
請求項（抜粋）：
フォトリソグラフィにより、複数の電気熱変換素子と、該各電気熱変換素子をそれぞれ駆動する駆動用機能素子と、該各駆動用機能素子と前記各電気熱変換素子とをそれぞれ接続する複数の配線電極と、該配線電極上に設けられる絶縁膜とを基板に形成する記録ヘッド用基体の製造方法において、前記配線電極の材料層のマスク用フォトレジストをエッチング後退させながら前記配線電極の材料層をエッチングして前記配線電極を形成し、しかる後、基体温度を低温から高温に変えて前記配線電極上に前記絶縁膜の材料を堆積することにより前記絶縁膜を形成することを特徴とする記録ヘッド用基体の製造方法。
IPC (3件)：
B41J 2/05
, B41J 2/16
, H01L 21/90
B41J 3/04 103 B
, B41J 3/04 103 H
