特許
J-GLOBAL ID：200903086347479885
半導体の電極構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-257995
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115095
出願日： 1993年10月15日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】アルミニウム電極5からなるAuワイヤボンディング用Siチップを転用して、安価にフリップチップ用はんだバンプを形成すること。【構成】本発明は、アルミニウム電極のSiチップ1の上に、貴金属混錬体すなわち、有機材料に微細粒子の貴金属を混錬しペースト状となした材料11を印刷、焼成した後、該焼成体の上にはんだボール13を接続する半導体の電極構造。【効果】本発明により、簡便かつ安価に半導体のフリップチップ実装が可能になり、従来のような別工程を必要としないため、ユーザでもってはんだバンプの形成が容易になる。
請求項（抜粋）：
半導体チップをフリップチップ形に形成するため、Siチップ上にアルミニュウム蒸着して電極となし、ワイヤボンディング用に形成したSiチップの該アルミニュウム蒸着層上に、有機材料に微細粒子の貴金属を混錬しペースト状となした材料を印刷、焼成した後、該焼成体の上にはんだボールを接続することを特徴とする半導体の電極構造。
IPC (2件)：
H01L 21/321
, H01L 21/60 311
