面発光型第2高調波生成素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川次男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-122583
公開番号（公開出願番号）：特開平5-313220
出願日： 1992年04月16日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】【目的】常温で高効率かつ高出力の第2高調波を発生でき、しかも小型,低エネルギー消費,低製造コストの面発光型第2高調波生成素子を提供する。【構成】共振器内の半導体結晶の〈100〉が光射方向と5°以上の角をなす場合(特に〈111〉、〈211〉、〈110〉の何れかが光射方向とほぼ一致するような場合)には、第2高調波が効率良く生成される。さらに、光射側反射鏡10とスペーサ層6との間に、III-VまたはII-VI族系化合物半導体からなる超格子構造の第2高調波発生層9を形成すれば、第2高調波をより高効率で生成できる。また、スペーサ層6を、超格子により形成することもでき、活性層5およびスペーサ層4,6を超格子により形成することもできる。スペーサ層や活性層に位相整合層としての作用を持たせることで高効率の第2高調波を生成することもできる。

請求項（抜粋）：

III-V族系化合物半導体結晶よりなる活性層と、該活性層の両側に形成されたスペーサ層と、さらに両スペーサ層の活性層とは反対側に位置して形成され、一方が第2高調波を所定率で透過させる、一対の反射鏡と、を共振器として有してなる面発光型第2高調波生成素子であって、前記共振器内の半導体結晶の〈100〉方位が光射方向と5°以上の角度をなすことを特徴とする面発光型第2高調波生成素子。

IPC (3件)：

G02F 1/37 , H01S 3/109 , H01S 3/18

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開平4-014024
特開昭61-172392
特開平4-303984

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審査官引用 (2件)

特開平4-014024
特開昭61-172392

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