半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：則近憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-204899
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058114
出願日： 1993年08月19日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】半導体チップ11を配線基板17にフェイスダウン方式で実装してなる半導体装置において、エッチングの際バンプ16の剥離、強度減少が解消でき、また優れた信頼性を有する半導体装置の提供を目的とする。【構成】半導体チップ11の電極パッド13上にバリアメタル14が形成され、その上に半田バンプ16がバリアメタル14よりも小さく形成され、半田バンプ16の周囲のバリアメタル14上に半田排除膜15が形成されていることを特徴とする半導体装置。

請求項（抜粋）：

主面に電極パッドを有する半導体チップと、前記電極パッド上に形成され主面を有する第1の金属層と、前記第1の金属層の主面上に形成され接触面が前記第1の金属層の主面よりも小さい第2の金属層と、前記第2の金属層の周辺部の前記第1の金属層の主面上に形成され前記第2の金属になじまない層と、主面に接続パッドを有する配線基板とを有し、前記半導体チップが前記配線基板上に前記第1及び第2の金属層を介して実装され、前記電極パッドと前記接続パッドが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/321 , H01L 21/60 311

FI (2件)：

H01L 21/92 C , H01L 21/92 F

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