特許
J-GLOBAL ID：200903086356130569
セラミック多層基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
奥山 尚男 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-186608
公開番号（公開出願番号）：特開平6-085462
出願日： 1992年07月14日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：
【要約】【目的】 フォトリソグラフィ法における露光を数回にわたって繰り返すことにより、焼成によるグリーンシートの収縮の収縮率が一定でないことにより生じる、露光用のマスクを合わせる際のずれを数分の1に低減するセラミック多層基板の製造方法を提供する。【構成】 焼成後のセラミック多層基板の表面に出ているバイアホールに接続する表面電極導体パターンをフォトリソグラフィ法により形成するセラミック多層基板の製造方法において、形成されるべき表面電極導体パターン全体よりも小さいマスクを用い、ある箇所で露光した後に、該マスクを移動し、再度露光する手順を繰り返すことにより、該セラミック多層基板の一部または全面にわたる該表面電極導体パターンを形成する。
請求項（抜粋）：
焼成後のセラミック多層基板の表面に出ているバイアホールに接続する表面電極導体パターンをフォトリソグラフィ法により形成するセラミック多層基板の製造方法において、形成されるべき表面電極導体パターンよりも小さいマスクを用い、ある箇所で露光した後に、該マスクを移動し、再度露光する手順を繰り返すことにより、該セラミック多層基板の一部または全面にわたる該表面電極導体パターンを形成するセラミック多層基板の製造方法。
IPC (3件)：
H05K 3/46
, H01L 23/12
, H05K 3/00
H01L 23/12 N
, H01L 23/12 Q
