特許

J-GLOBAL ID：200903086360207339

半導体装置及び配線体

発明者： 野世 幸之
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-054954
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326850
出願日： 1998年03月06日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：

【要約】【課題】 高周波信号に対する高い耐ノイズ性と高速動作機能とを有する半導体装置および高周波回路に配置される配線体を提供する。【解決手段】 半導体装置は、絶縁支持基体205と、絶縁支持基体205の第1面210及び第2面220上にプリントにより形成された信号用,電源用,接地用配線201〜203などとからなる配線体200Aを有する。半導体チップ100の上に配線体200Aが搭載され、半導体チップ100上のボンディングパッド101〜103と配線体200Aの各配線201〜203の内方のパッド部とが第1金属細線401により接続され、各配線201〜203の外方のパッド部とリードフレーム300内のリード301〜303とが接続される。配線体200Aは、絶縁支持基体205によって配線を支持した構造なので、配線パターンを細くかつ多様に形成でき、インピーダンス整合機能をも有する。

請求項（抜粋）：

第1面及び第2面を有し、かつ第1面上に複数のボンディングパッドを有する半導体チップと、板状の絶縁支持基体と該絶縁支持基体で支持される複数の配線とにより構成され、上記半導体チップの第1面上に設置された配線体と、上記半導体チップの各ボンディングパッドと上記各配線の一部とを電気的に接続する接続部材と、上記配線体の各配線の他部に接続される複数のリードとを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/60 321

FI (2件)：

H01L 23/12 E ,  H01L 21/60 321 E

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 複合リードフレームおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-170242   出願人：新日本製鐵株式会社
• 特公昭41-007298
  
• 半導体装置及び高周波回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-264519   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平4-129250